技术编号：20102730
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有截止环结构的功率半导体器件。背景技术如图1所示，为传统沟槽mosfet结构的结构示意图。如图1所示，沟槽mosfet结构包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，在终端保护区内设置有截止环结构。图1所示的截止环由第四类沟槽16构成，以n型器件为例，所述第四类沟槽16位于p型体区的表面被绝缘介质层覆盖，沟槽底部进入n型外延层中，并且环绕第二类沟槽5。第四类沟槽16上方的绝缘介质层中设有通孔，该通孔从绝缘介质层的表面进入导电多晶硅内，在第四类沟...
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