技术编号:2011093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。更详细的涉及一种可用作为形成SiC、GaN等化合物半导体的单晶的装置的部件的。背景技术 过去,在Si、GaN、SiC等半导体用单晶的制造中,可使用用于进行外延生长的称为MOCVD及MOVPE的CVD装置或MBE装置等。在SiC的制造中,常常采用需要1500℃以上,特别是1800℃以上的高温的升华法、HTCVD法(高温CVD法)等。这些半导体用单晶的制造中,一般使用氢气、氨气、烃类气体等作为载气或原料气体。在800℃以上的高温下,通过氨气或氢...
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