技术编号:20121779
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于脉冲功率器件技术领域,更具体地,涉及一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法,是一种宽禁带半导体器件的结构和工艺,得到的碳化硅反向开关晶体管尤其能够应用于脉冲功率技术领域。背景技术脉冲功率技术在国防军事等领域发挥着十分重要的作用,脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件。反向开关晶体管rsd(reverselyswitcheddynistor)是一种基于可控等离子体层触发原理的脉冲功率半导体开关器件,可以实现全面积均匀同步开通,相比igbt、scr等,具有更优的均压特性、更高的耐压以及...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。