技术编号:2012443
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及外沉积(OVD)工艺通过降低光纤预制棒中羟基含量从而制造出低水峰光纤的光纤预制棒的制备方法。背景技术 常规单模光纤(G.652B)在1360~1460nm波长范围内的传输损耗较高,影响了光通信系统在该波段的应用,其原因是羟基(OH)基团系列谐波振动吸收造成该波段内损耗增大。由于1383nm左右为OH主要振动吸收峰,习惯上将1383±3nm吸收峰称为水峰。ITU-T规定,G652C规范要求在光纤经过氢损之后,其1383±3nm的最大衰减系...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。