技术编号:2012896
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种陶瓷及其制备方法,特别涉及一种。这种陶瓷适用于机械、化工、航空航天、光电子等。背景技术 氮化硅(Silicon Nitride,化学式为Si3N4)陶瓷是50年代发展起来的优良高温结构陶瓷,它是先进陶瓷中综合性能最好的材料之一。其具有高温强度及硬度高、蠕变小、抗氧化、耐腐蚀、比重小、热膨胀系数低、抗热冲击性好、断裂韧性高等优异性能而广泛用于制作高性能结构陶瓷材料和高速切削工具。氮化硅的第三种物相—立方氮化硅(或称c-Si3N4或γ-Si3N4...
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