技术编号：2012899
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已被证明是制备单一晶体取向的 单畴(类单晶)超导块材的成功方法。在顶部籽晶技术中，籽晶被放置在预成 型的钐钡铜氧块的顶表面中心，诱导钐钡铜氧块按籽晶的晶体取向定向凝固生长，形成单一 c轴取向的超导块。这种超导块也被称作单畴超导块。在顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺相结合制备单畴超导块的方法中采用的是在衫钡铜氧的生长温区均是以0. 2~0.5。C/小时的速率緩冷20。C 30。C，使样品在籽晶的 诱导下...
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