技术编号:2013790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于陶瓷基复合材料及其零部件的制备,特别是提供了一种制备近终形碳化硅晶须增强碳化硅(SiCw/SiC)复合材料零件的方法,实现了低成本、高性能陶瓷基复合材料零部件的制备。背景技术 现代国防、核能和航空航天技术以及石油化工、海洋工程等的迅速发展,对火箭燃烧室内衬、飞机涡轮发动机叶片、核反应堆结构部件、高速气动轴承、机械密封零件、轻质卫星反射镜等众多关键材料提出了愈来愈高的要求,迫切需要开发各种新型的高性能材料。碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)等先...
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