降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法技术资料下载

技术编号:2014155

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本发明涉及包括固溶体陶瓷的专用的氧化钇,其通常对等离子体具有高度耐腐蚀性,尤其对用于半导体衬底刻蚀中的腐蚀性等离子体具有耐腐蚀性。 背景技术 这部分描述涉及本发明公开的实施方式的背景主题内容。这里并非意在明确或暗指该部分描述的背景技术构成法律上的现有技术。 耐腐蚀(包括侵蚀)性为用于存在腐蚀环境的半导体处理腔室中的设备部件和衬里的重要特性。腐蚀性等离子体环境的示例包括用于处理设备的清洗的等离子体和用于蚀刻半导体衬底的等离子体。用于等离子体增强化学气相...
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