技术编号:2014924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低维纳米材料制备领域,特别是涉及一种以纳米线为掩膜通过刻蚀技 术制备硅纳米线的方法。背景技术半导体纳米材料及其相关器件已经成为物理、化学、生物以及材料科学领域的一 个研究热点。迄今为止,人们已经制备出多种半导体纳米材料,并利用"自下而上"的 组装手段制备了多种纳米电子和光电子器件,包括场效应管、单电子器件、异质结发 光二极管、单纳米线激光器等。硅是目前最重要的半导体材料,而且硅在自然界中广泛存在,丰度是29.5%,仅 次于氧居于第二位。以硅材料为...
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