技术编号:20196827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种气体混合装置及半导体加工设备。背景技术化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)是半导体工业中应用最为广泛一种沉积技术,通常是在反应腔室中通入两种或者两种以上的工艺气体,辅以温度和压力等工艺条件的控制,实现多种工艺气体之间的化学反应,从而在晶片上沉积需要的薄膜。在化学气相沉积工艺装备中,多种工艺气体需要在进入反应腔室前进行预混合,但是,由于一般使用的管路内径小,工艺气体在管路中混合很难达到理想的混合效果,从而导致工艺结果不...
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