技术编号:20197643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。与示例实施方式一致的器件涉及一种具有栅极绝缘层的半导体器件。背景技术由于对紧凑和重量轻的半导体器件的需求,半导体器件的电路图案正在减小尺寸,例如小型化。因此,已经提出掩埋单元阵列晶体管(bcat)结构,其中栅电极形成在半导体基板中以便增大晶体管的沟道长度。然而,当图案随着设计规则的减小而在尺寸上进一步减小时,栅电极的尺寸减小,因此栅极电阻会增大。发明内容发明构思的示例实施方式针对于提供一种半导体器件,该半导体器件在栅极沟槽的内壁上具有上栅极绝缘层和下栅极绝缘层,其中下栅极绝缘层的上端的内径大于上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。