技术编号:20203063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器件生产技术领域,尤其涉及一种晶圆抛光方法。背景技术传统的晶圆抛光方法需要将晶圆依次进行粗磨、细磨和抛光后才可用于存储器件的生产,其中在抛光过程中会使用抛光液和抛光片。在实际生产过程中,若晶圆过薄,生产的存储器件会出现数据丢失的问题,这是因为传统的抛光方法将晶圆的表面打磨得过于光滑,阳离子容易从晶圆外跃迁至晶圆内,在行业内将这种情况称为铜离子污染。铜离子(cu+)在200ˉ300℃条件下的渗透速度为0.55μm/sec,在晶圆抛光后,铜离子渗透速度会比在非抛光情况下更快。铜离子迁移...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。