技术编号:2021487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体处理技术,更具体而言,涉及用于在双镶嵌蚀刻处理中蚀刻底部抗反射涂覆(BARC)层的方法。技术背景集成电路已经发展到能在单个芯片上包括数百万元件(例如,晶体 管、电容器和电阻器)的复杂器件。芯片设计的发展持续地要求更快的电 路和更大的电路密度。对更大的电路密度的需求需要减小集成电路元件的 尺寸。随着集成电路元件尺寸的减小(例如,亚微米尺寸),用来制造这些 元件的材料有助于它们的电气性能。例如,低电阻的金属连线(例如,铜 和铝)提供了集成...
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