技术编号:20269579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。背景技术铜铟镓硒(cigs)薄膜太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,其具有高稳定性、低成本和长寿命的优势。铜铟镓硒薄膜太阳能电池本质上是一种直接带隙半导体,其基本结构包括依次叠层设置的衬底、背电极、光吸收层、缓冲层、窗口层、减反射层和金属电极层,其中的光电吸层是由铜、铟、镓和硒四种元素组成的化合物半导体薄膜。目前,制备铜铟镓硒光吸收层的方法主要有共蒸发法和溅射硒化法,溅射硒化法由于其成本低于共蒸发法,在大尺寸电池的生产...
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