技术编号:20275351
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及石墨烯领域,具体涉及一种竖直石墨烯及其生长方法。背景技术化学气相沉积法(cvd)是用来生长石墨烯薄膜的常规方法,但由于受到生长温度高和生长速率慢的限制,科学家们提出了等离子体增强化学气相沉积(pecvd)系统,利用等离子体发生源的引入,为碳源前驱体的分解提供了额外的能量,特别是在相对较低的温度下,甚至在催化能力低于金属基底的非金属基底上也能生长出质量较高的石墨烯。pecvd法常被用来生长竖直石墨烯。就等离子源的种类而言可以将pecvd分为微波等离子源mw-pecvd(uedak.eta...
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