技术编号：20288299
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种图形化光刻胶层及其制备方法。背景技术现有技术中，图形化光刻胶层的形成方法一般为：先基底上旋涂光刻胶层后对所述光刻胶层进行一次曝光后显影以形成图形化光刻胶层。而当所述光刻胶层的厚度比较厚或需要形成的图形单元的宽度比较小时，即需要形成的图形单元具有高深宽比时，在光刻工艺中仅采用一次曝光时会很难避免阴影效应(shadoweffect)的影响。阴影效应的存在会是的最终形成的所述图形化光刻胶层内形成的所述图形单元发生偏移而失真。当所述光刻胶层用于刻蚀工艺作为刻蚀阻挡...
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