技术编号:20303011
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种半导体存储装置。背景技术由于易失性存储芯片(如dram)的读取速度更快,而非易失性存储芯片(如nandflash)具备掉电不丢失数据的优点,因此,多数现代数据处理系统需要同时包含易失性存储芯片和非易失性存储芯片,以利用其各自的优点。由于易失性存储芯片和非易失性存储芯片的结构不同,通常采用不同工艺制程制造,各自形成独立的芯片。当数据处理系统同时包含易失性存储芯片以及非易失性存储芯片时,两种存储芯片通常独立存在,相互之间通过传输线连接,以进行数据传输。这种...
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