技术编号:20332296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长装置。背景技术物理气相输运法(pvt法)是碳化硅单晶生长的主要技术方法,该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部,用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上,形成一个密闭空间,石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶,通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热,使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华,并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度,升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长,从而获得碳化硅单晶。现有的用于碳化硅单晶生长装置,是采用中频感应加热...
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