技术编号：20443055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅基点阵，特别是涉及一种网络结构硅基点阵的制备方法及其应用。背景技术微纳米阵列结构由于具有高比表面积、高表面能及良好的光学性质等优势而广泛应用于化学分析、生物传感、光电探测及能源转换等领域。中国专利cn103213933b《一种硅基三维微电池纳米电极结构》中采用自组装聚苯乙烯球掩膜、深硅刻蚀、薄膜沉积等技术制备的瓶状硅基复合纳米柱阵列结构作为锂离子电池电极材料，有效抑制了硅材料在充放电过程中的体积膨胀及提高了材料的导电性；cn107515242a《一种硅基金纳米碗阵列芯片及其制备方...
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