技术编号：20504403
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法，属于碳纳米管电子学领域。背景技术半导体性碳纳米管(swnts)具有优异的电学、热学和力学性能，兼容传统半导体工艺和新型印刷电子工艺，在未来电子学领域具有广阔的应用前景。半导体性碳纳米管阵列薄膜可用作电子元器件的沟道材料，不仅消除了金属性碳管对于开关比的不利影响，而且消除了碳管网络薄膜中碳管-碳管结对于载流子迁移率的不利影响，在高性能逻辑电子、射频电子等方面极具应用价值。目前制备碳纳米管阵列主要采用两种方法。一种是气相沉积法(cvd)直接合成碳纳米...
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