技术编号:20584556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高频电源领域,尤其涉及一种高频电源的校正系统。背景技术在现有的半导体器件的制造工艺中,使用在较低压的气氛内生成高密度的等离子体,并在半导体晶片(以下简称为“晶片”)上进行蚀刻处理、成膜处理的等离子处理装置。例如,平行平板等离子处理装置在处理室内配置有一对平行平板电极(上部电极和下部电极),在将处理气体导入该处理室内的同时,从高频电源向电极的一方或两方供给高频,在电极间生成高频电场,通过该高频电场生成处理气体的等离子体,从而对晶片进行蚀刻等规定的处理。在这种等离子处理装置中,为了得到良好...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。