技术编号:20605010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭示内容是关于一种制造技术,且特别是关于一种半导体制造方法与半导体层。背景技术为了结晶化半导体,一般而言考虑到基板的内受温度,准分子激光退火(excimerlaserannealing,ela)的制程是目前较常采用的技术。然而,线扫描(linearscanning)的准分子激光退火受限于激光光点的尺寸而无法一次处理大面积的区域,并且由于每一个激光光点的功率不稳定,造成均匀性不佳而容易产生斑(mura)的问题。因此,产能与基板的面积难以提高,生产成本居高不下之外,结晶品质与晶粒尺寸亦不理想。发明...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。