技术编号：20606668
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序。背景技术具有3维结构的nand型flush存储卡的控制栅极、mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的面向字线的电极中，一般使用钨(w)膜。该w膜最终要成为埋入孔穴中的状态，因而在其成膜时要将w完全嵌入孔穴中。这时，由于在不需要的部分也会成膜成w膜，因此，在w成膜工序后，进行回蚀工序，仅在所希望部分保留w膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开20...
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