技术编号:20670232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法。背景技术石墨烯在常温环境下具有超高的载流子迁移率,因而备受学术界和工业界的关注。然而,石墨烯零带隙的缺陷导致其无法直接制备成开关器件,从而不能真正意义上的引发一场取代硅的技术革命。石墨烯引入带隙的常见方法有掺杂法、对称性破缺法以及量子限域法。掺杂法是通过吸附掺杂或替位掺杂的方式使石墨烯一定程度上打开带隙,然而这种引入带隙的方法大大降低了石墨烯的载流子迁移率。对称性破缺法同样存在着降低石墨烯导电性能的问题,这种方法在打开石墨烯...
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