技术编号:20670711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种gan基紫外led的外延结构。背景技术uva波段的gan基紫外led一般以低in组分的ingan层或gan层作量子阱、以更大禁带宽度的algan层作势垒。由于量子阱中的富in点很少甚至没有,导致紫外led的内量子效率比蓝光led低很多。此外,由于algan势垒层有较大的压电常数,因此紫外led中gan/algan多量子阱垒(或者低in组分的ingan/algan多量子阱垒)的量子限制斯塔克效应比蓝光led中ingan/gan多量子阱垒更严重,加剧了紫外led量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。