技术编号:20788047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在各种实施方案中,本公开涉及磁阻随机存取存储器,并且更具体地涉及用于磁阻随机存取存储器的复合自由层。背景技术各种类型的磁阻随机存取存储器(mram)使用磁隧道结存储数据。磁隧道结(mtj)可包括“固定”和“自由”磁性层,其中自由层的磁矩可被切换成与固定层的磁矩平行或反平行。薄的电介质层或势垒层可分离固定层和自由层,并且由于量子隧穿,电流可流过势垒层。平行状态和反平行状态之间的电阻差异允许存储数据。例如,低电阻可对应于二进制“1”,并且高电阻可对应于二进制“0”。另选地,低电阻可对应于二进制“0”...
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