技术编号:20835534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域,涉及一种igbt性能退化特征参数的提取方法,具体涉及一种基于核主成分分析和加权马氏距离的igbt性能退化特征参数的提取方法,可应用于对igbt性能退化进行在线监测。背景技术绝缘栅双极型晶体管igbt(insulatedgatebipolartransistor)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。igbt具有输入阻抗高、快速开关、电流密度大、导通压降低等优点,被广泛应用于逆变器、电机传动控制、汽车、轨道交通等民用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。