技术编号:20858247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置。背景技术在浸润式光刻工艺的曝光期间,通常需要在曝光镜头与晶圆表面的光刻胶之间填充满去离子水,以增加聚焦景深的适用范围。之后,可以进行若干个曝光后烘烤工艺,使位于所述晶圆表面的溶剂蒸发。接着,借由显影液除去曝光后不需要的光刻胶,并采用旋转干燥工艺干燥晶圆。传统的旋转干燥工艺极易造成显影液的残留,不利于后续工艺的顺利进行。为了解决上述问题,当前主要通过机台的adr(advanceddeveloprinse)功能来去除残留的显影液。在启动机台...
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