技术编号:20872951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种超结(superjunction)器件;本发明还涉及一种超结器件的制造方法。背景技术超结器件如超结mosfet中采用了超结结构,超结结构由交替排列的n型柱和p型柱组成结构。如果用超结结构来取代垂直双扩散mos晶体管(verticaldouble-diffusedmetal-oxide-semiconductor,vdmos)器件中的n型漂移区,在导通状态下通过n型柱提供导通通路,导通时p型柱不提供导通通路;在截止状态下由pn立柱共同承受反偏电压,就...
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