技术编号:20876861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。背景技术在半导体器件的制造过程中,需要经历多次刻蚀工艺。在刻蚀过程中会产生一些难以挥发的副产物黏附于器件的侧壁,此外,在刻蚀过程中也会对器件侧壁造成不同程度的损伤。目前,通常采用离子束清洗方法来去除上述黏附层和损伤层。但是,随着器件不断向高密度、小型化方向发展,对于密度较高的阵列,由于阴影遮蔽效应,导致现有技术无法完全刻蚀掉全部的黏附层和损伤层。发明内容为了解决上述问题,本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。