技术编号:20909432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于形貌控制材料制备领域,具体涉及一种氮化镓纳米管及其制备方法。背景技术一维纳米结构由于其尺寸,形貌和优异的电、光、磁的性质,在光学,电磁学,催化,生物探测,药物运输等领域应用广泛。直接带隙宽禁带半导体氮化镓(禁带宽度3.4ev)是第三代宽禁带半导体的典型代表。氮化镓具有较大的电子迁移率、良好的导电导热性、高的击穿场强、耐高温、耐腐蚀,较好的抗辐射性等诸多优良特性。此外其在紫外,蓝光led器件以及紫外探测器件中有着很大的应用前景,是制造大功率光电器件的最为优越的材料之一。目前对于氮化镓纳米...
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