技术编号:20913475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2018年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0144455号韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用被完全包含于此。根据本公开的示例实施例的装置涉及一种用于制造半导体器件的装置,更具体地,涉及一种用于制造半导体器件的等离子体处理装置,所述等离子体处理装置包括基底负载在其上的静电吸盘。背景技术通常,半导体器件通过多个单元工艺制造。例如,多个单元工艺可以包括:包括薄膜沉积工艺的沉积工艺、包括光刻工艺的图案化工艺以及包括蚀刻工艺的去除工艺。这里,蚀刻工艺可以包括其中使用等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。