技术编号：20913479
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶粒制备技术领域，特别涉及单晶粒减薄背面金属化方法。背景技术传统的减薄背面金属化都是基于整片晶圆来加工的，其大致流程如下：步骤一：晶圆正面贴膜；步骤二：晶圆背面减薄；步骤三：晶圆背面腐蚀及揭膜；步骤四：晶圆背面金属化蒸发。但实际上，有时需要对单晶粒(即晶圆划片之后的晶粒)进行减薄和背面金属化，之前传统的晶圆减薄背面金属化制程就不适用了由于目前的加工都是基于整片晶圆来进行的，所以对单晶粒加工都不合适；因此要对单晶粒进行减薄和背面金属化加工，需将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进...
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