技术编号:20913502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是申请日为2015年3月18日,申请号为201510118084.3,发明名称为“具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管”的中国发明专利申请的分案申请。本公开内容总体上涉及半导体器件技术领域,并且具体地涉及具有开槽栅极结构(slottedgatestructure)的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(ldmos)以及其制造方法。背景技术电压稳压器,例如dc至dc转换器,提供用于电子系统的稳定电压源。低功率器件尤其需要有效的dc至dc转换器。其中一种类型的dc至dc转换器是开关式电压稳压器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。