技术编号:20916106
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种质量流量控制装置、反应腔室压力控制系统及调节方法。背景技术在半导体制造、光伏等领域,反应腔室是最重要的设备,进入反应腔室的h2、hcl、过量的o2、少量的c2h2cl2以及n2需要在恒定的压力下进行化学反应,以确保镀层的厚度,反应腔室内的压力大于或小于设定的压力都会影响镀层的厚度,因此,必须确保反应腔室内的压力稳定。图1为现有技术中的一种反应腔室压力控制系统的示意图。如图1所示,该反应腔室压力控制系统包括压力传感器101、控制阀102、真空泵103、变频...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。