技术编号:20917217
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能光伏电池制造领域,特别涉及一种用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置。背景技术隧穿氧钝化发射极太阳电池(topcon)是2013年由德国弗兰霍夫研究所提出的一种新型硅太阳电池,是一种通过氧化硅和掺杂多晶硅实现全面积高效钝化和载流子收集的电池器件。目前可分为两类:p型topcon(硼(b)掺杂多晶硅和氧化硅层)和n型topcon(磷掺杂多晶硅和氧化硅层),其中,氧化硅的制备方法包括湿化学氧化法(hno3,ozonewater,mixedacid)和气相氧化法(o3gas,p...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。