技术编号：20937003
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生长硫化镉纳米线阵列的方法，尤其涉及一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法。背景技术硫化镉是一种重要的半导体材料，广泛地应用于太阳电池、光敏电阻等光敏器件中。由于纳米技术的发展，科学家们发现纳米形貌对材料具有更为优异的性能，如减小反射等。科学家们纷纷用水热法、化学气相沉积法、模板法等等制备硫化镉纳米球、纳米线、纳米花等纳米形貌。但是大部分方法制备的硫化镉纳米结构为纳米粉末，也就是不能直接长在所需要的衬底上，这对硫化镉纳米材料在器件上的应用是不利的。现在的研究表明，科学家们也已经成...
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