技术编号：20988805
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及氮化镓mosfet塑封应力检测结构。背景技术氮化镓mosfet是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。由于氮化镓具有高的击穿电场、高的饱和速度、良好的温度特性，氮化镓mosfet在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面具有广泛的应用前景。虽然基于氮化镓mosfet特有的性能和应用，需要采用与之相适应的封装结构和封装方法，但考虑到与现行应用系统的匹配以及成本、工艺等方面的优势，常用于硅基功率器件的塑料封装仍然是氮化镓mosfet的主要封装形...
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