技术编号：20989731
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术目前，nand闪存以其容量较大、改写速度快等优点在业界得到广泛的应用。为了充分挖掘存储单元的价值，nand闪存的编程方式也从单层单元(single-levelcell，简称slc)到双层单元(multi-levelcell，简称mlc)，再到三层单元(triple-levelcell，简称tlc)。而随着编程方式的升级，各编程态的阈值电压也分布越来越靠近，进而导致相对的阈值电压分布容错余量减少，造成nan...
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