技术编号:21091617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及三维(3d)存储器件及其重量百分比和制造方法。背景技术通过改进工艺技术、电路设计、编程算法、和制造工艺,平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而,随着存储单元的特征尺寸接近下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果,平面存储单元的存储密度接近上限。三维(3d)存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储架构包括存储器阵列和用于控制信号来往于存储器阵列的外围设备。发明内容于此公开了包括具有经调节的氮重量百分比的隧穿层的沟道结构的实施例及其制造方法。在一个示例中,一...
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