技术编号:21092859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术在半导体制造的工艺过程中,一般会在介质层中形成互连的通孔(via)和沟槽(trench),然后向互连的通孔和沟槽中填充导电材料,以形成导电互连结构。其中,在通孔形成之后且在沟槽形成之前,为了避免在刻蚀形成沟槽的过程中通孔的结构受到破坏,会在通孔中填入保护材料来保护通孔,完成填入之后会继续在至少205℃的温度下烘烤,以使得填入的保护材料完全硬化,进而起到保护通孔的作用。在填入保护材料时,为了确保通孔被完全填满,填入的保护材料的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。