技术编号:21100392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,尤其涉及一种用于半导体开关器件的栅极驱动电路、包含栅极驱动电路的功率开关电路及电器设备。背景技术在功率半导体领域,功率器件的开关损耗e与电流电压过冲(irr,vrr)是一对显著的矛盾。以绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor,简称igbt)为例:当igbt的开关时间减少,损耗被抑制时,则电流电压快速变化,过冲明显增加;当抑制电流电压过冲量时,则开关时间延长,开关损耗增加。使用不同阻值的栅极电阻是优化开关损耗e与电流电压过冲(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。