技术编号:21196962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光元件技术领域,特别是涉及一种能够改善发光效率的半导体发光器件。背景技术发光二极管(lightemittingdiode,led)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体发光器件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。目前,发光二极管一般包括衬底层、缓冲层、n型半导体层、多量子阱发光层、p型半导体层。其中,n型半导体层用于提供电子;p型半导体层用于提供空穴,当有电流通过时,n型半导体层提供的电子和p...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。