技术编号：21223592
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。背景技术动态随机存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。在现有的半导体结构制造工艺中，为了增加存储单元的充放电速度，主要是利用增...
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