技术编号:21260412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种砷化镓太阳能电池外延结构。背景技术三结砷化镓太阳能电池光谱响应性好,光电转换效率高,通常应用在航空航天及聚光光伏电站等领域。目前较常见的三结砷化镓太阳能电池为ge底电池、gaas中电池及gainp顶电池结构,其能带从下往上依次升高,分别吸收不同波长的光,从而实现全光谱吸收。但目前的三结砷化镓电池其各底电池均采用直接掺杂生长法,即同时通生长源及掺杂源来进行生长,这种生长法会给外延结构带来一定量的缺陷,使其晶体质量受到影响,从而影响光电转换性能及其可靠性。发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。