技术编号:21260449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及半导体发光技术并且,更具体地,涉及一种在操作时具有光输出功率自感知的发光器件,诸如iii族氮化物紫外发光二极管。背景技术由于具有杀菌作用,深紫外(duv)辐射(200-280nm)能够解决人类面临的众多挑战问题,例如,清洁水的日益缺乏、抗生素的过度使用、以及病原体的抗药性等。将用环保的固态duv光源,诸如基于algan的发光二极管(led),来替代含有有毒化学汞的传统duv光源。与可见光不同,uv发射不会被人类裸眼察觉。出于至少以下原因,非常需要对芯片级的uv输出功率进行直接目视读...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。