技术编号:21280946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工领域,具体涉及一种工艺腔室及其清洁方法及晶圆传输方法。背景技术在半导体器件加工过程中,等离子体蚀刻是一个重要制程。在等离子体蚀刻制程中,以曝光后得到的光刻图形为掩模,通过等离子体蚀刻制程可除去晶圆表面上一定深度的薄膜物质。如图1所示,等离子体蚀刻制程一般在半导体设备的工艺腔室1中进行。工艺腔室1包括具有金属基座21与托盘22的静电夹盘20。如图2所示,静电夹盘20开设多个贯穿金属基座21与托盘22的升降孔30。金属基座21同时作为产生等离子体的下部电极。升降孔30内设有升降销...
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