技术编号:21280958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开主张2018/12/19申请的美国临时申请案第62/782,049号及2019/03/28申请的美国正式申请案第16/368,106号的优先权及益处,该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。背景技术在半导体及光伏产业中,二氧化硅为已知用来当作钝化材料(passivationmaterial),而钝化材料导致在表面重组中的明显减少。可在温度900℃中以湿式热氧化法(wetthermaloxidation)或者在氧气环境下温度850℃到1000℃之间以干式氧化法显影...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。