技术编号:21281005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率器件封装基板领域,具体涉及一种功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法。背景技术近年来,半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展,高的功率和使用环境对封装材料也提出了更高的要求。而半导体功率器件工作产生的热量是引起整个半导体器件失效的关键因素,而绝缘陶瓷基板的导热性又是影响整体半导体器件散热的关键。此外,如在电动汽车和电力机车等领域,半导体器件在使用过程中往往要面临颠簸、震动等特殊的力学环境,对基板材料的力学可靠性提出了严苛的要求。当前氧化铝和氮化铝陶瓷基板...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。