一种低功率损耗新型碳化硅二极管的制作方法技术资料下载

技术编号:21298054

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本实用新型涉及电子元器件技术领域,特别涉及一种低功率损耗新型碳化硅二极管。背景技术碳化硅材料具有宽带隙,高击穿场强,高热导率,高饱和电子迁移速率,以及极好的物理化学稳定性等特性,适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作,碳化硅制成的二极管常被用于功率电路中,例如功率因数校正(pfc)器件、dc-dc转换器、dc-ac逆变器、过电流过电压保护电路和电机驱动器。由于二极管安装于各种电器元件上,使用时产生大量的热,随着温度升高大量存储电荷,致使相邻器件中存在导通损耗,若不将工作时产生的热及时排出,二极...
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